نمایه شرکت

Anyang Jiashike Metal Co.LTD به عنوان تولید کننده پیشرو مواد فروآلیاژی در چین است. این یک شرکت جامع است که تحقیقات علمی، پردازش و تولید و تجارت واردات و صادرات را ادغام می کند. بیش از 20 سال تجربه در زمینه حرفه ای و حرفه ای دارد. از تکنولوژی پیشرفته و تجهیزات حرفه ای استفاده می کند. ، فلزات و آلیاژهای با کیفیت بالا را تولید می کند و دامنه تجاری آن شامل سیلیکون فلزی، فروسیلیسیم، آلیاژ سیلیکون-کلسیم، آلیاژ سیلیکون-کربن، پودر گرافیت طبیعی و سایر محصولات است.

مزایای شرکت

تجربه غنی

شرکت ما سالها تجربه کار تولیدی دارد. مفهوم همکاری مشتری مدار و برد-برد شرکت را بالغ تر و قوی تر می کند.

تجهیزات پیشرفته

تجهیزات مبتنی بر آخرین پیشرفت های تکنولوژیکی دارای راندمان بالاتر، عملکرد بهتر و قابلیت اطمینان قوی تر هستند.

قیمت رقابتی

ما تیم منبع یابی حرفه ای و تیم حسابداری هزینه داریم که سعی در کاهش هزینه و سود و ارائه قیمت مناسب به شما دارد.

کنترل کیفیت

ما یک تیم QC حرفه ای برای بازرسی دقیق هر ماده خام و هر فرآیند تولید ایجاد کرده ایم.

Customized High Purity Si 2202 3303 411 551 553 Silicon Metal

فلز سیلیکون Si 2202 3303 411 551 553 با خلوص بالا سفارشی شده است

یکی از مزایای فلز سیلیکون 3303 استفاده از آن در ساخت فولاد تخصصی است، زیرا می تواند استحکام، سختی و شکل پذیری فولاد را بهبود بخشد. علاوه بر این، فلز سیلیکون 3303 اغلب به عنوان یک افزودنی به آلیاژهای آلومینیوم برای بهبود خواص مکانیکی آنها مانند خوردگی آنها استفاده می شود.

آلیاژ سیلیکون کلسیم

آلیاژ سیلیس-کلسیم یک آلیاژ کامپوزیتی متشکل از سیلیکون، کلسیم و آهن است که یک ترکیب ایده آل اکسید کننده و گوگردزدا است. این به طور گسترده ای در تولید فولاد کم کربن، فولاد ضد زنگ و سایر گریدهای فولادی و آلیاژهای خاص مانند آلیاژ پایه نیکل و آلیاژ پایه تیتانیوم استفاده می شود. برای استفاده به عنوان گرم کننده برای کارگاه فولادسازی مبدل مناسب است. همچنین می توان از آن به عنوان تلقیح چدن و افزودنی در تولید چدن داکتیل استفاده کرد.

High Quality Ferro Silicon/ Ferrosilicon For Steelmaking/FeSi65

فروسیلیکون/ فروسیلیکون با کیفیت بالا برای فولادسازی/FeSi65

فرو سیلیکون یا فروسیلیکون یک عنصر حیاتی برای فولادسازی است. این آلیاژی است که از آهن، سیلیکون و درصد کمی از آلومینیوم و سایر عناصر تشکیل شده است. فرو سیلیکون با کیفیت بالا، همچنین به عنوان FeSi65 شناخته می شود، به ویژه در صنعت فولادسازی بسیار مهم است زیرا حاوی درصد بیشتری از سیلیکون است.

شمش منیزیم

مواد آلیاژی شمش منیزیم یک ماده سبک وزن و با استحکام بالا است که به طور گسترده در صنایع مختلف استفاده می شود. این ماده از منیزیم و سایر فلزات مانند آلومینیوم، روی، منگنز و سیلیکون تشکیل شده است که خواص مکانیکی و مقاومت در برابر خوردگی آن را بهبود می بخشد.

Metal Alloy Silicon Calcium Alloy Ferro Silicon Calcium/Fesica

آلیاژ فلز سیلیکون کلسیم آلیاژ فرو سیلیکون کلسیم/فسیکا

آلیاژ CaSi آلیاژ ترکیبی است که از سیلیکون، کلسیم و آهن تشکیل شده است. این یک ترکیب ایده آل اکسید کننده و گوگردزدا است که می تواند به طور گسترده در تولید فولادهایی مانند فولاد با کیفیت بالا، فولاد کم کربن، فولاد ضد زنگ و آلیاژهای خاص مانند آلیاژ پایه نیکل، آلیاژ پایه تیتانیوم استفاده شود. آلیاژ CaSi همچنین می تواند به عنوان افزایش دهنده حرارت برای فولادسازی مبدل، تلقیح کننده برای تولید چدن و اعتیادآور برای تولید چدن گره ای استفاده شود.

Use Of High Quality Silicon Calcium Alloy /CaSi

استفاده از آلیاژ سیلیکون کلسیم با کیفیت بالا / CaSi

Use Of High Quality Silicon Calcium Alloy 100 Words/CaSi

فروش مستقیم کارخانه آلیاژ سیلیکون کلسیم با کیفیت بالا

Factory Sale Casting Iron Use Casi Powder Calcium Silicon Alloy 30/60 28/55

فروش کارخانه چدن ریخته گری استفاده از پودر کاسی، آلیاژ سیلیکون کلسیم 30/{1}}/55

Factory Direct Sales Of High Quality Metal Silicon/Silicon Metal441

فروش مستقیم کارخانه ای سیلیکون فلزی با کیفیت بالا/فرو سیلیکون441

Ferro Silicon 441 Ferro Silicon 441 محصول داغ JSK با درجه 441 فرو سیلیکون با محتوای سیلیکون 99 درصد است. محتویات آهن، آلومینیوم و کلسیم عبارتند از 0.4%، 0.4% و 0.1%.

OEM 2202 3303 411 553 Grade Metallic Si Pure Silicon Metal

سیلیکون کاربید چیست؟

کاربید سیلیکون، بسیار سخت، ترکیب کریستالی سیلیکون و کربن به صورت مصنوعی تولید می شود. فرمول شیمیایی آن SiC است. از اواخر قرن نوزدهم کاربید سیلیکون یک ماده مهم برای کاغذ سنباده، چرخ های آسیاب و ابزارهای برش بوده است. اخیراً، در پوشش‌های نسوز و عناصر گرمایشی برای کوره‌های صنعتی، در قطعات مقاوم در برابر سایش برای پمپ‌ها و موتورهای موشک، و در زیرلایه‌های نیمه‌رسانا برای دیودهای ساطع کننده نور کاربرد پیدا کرده است.

مزایای کاربید سیلیکون

عملکرد عالی در دمای بالا

نقطه ذوب محصولات کاربید سیلیکون تا 2700 درجه است که می تواند پایداری و استحکام ساختاری خود را در محیط های با دمای بالا حفظ کند، بنابراین به طور گسترده در فلزات مذاب با دمای بالا، کوره های گرمایش با دمای بالا، پتروشیمی با درجه حرارت بالا استفاده می شود. و زمینه های دیگر

مقاومت در برابر خوردگی قوی

کاربید سیلیکون مقاومت بسیار خوبی در برابر خوردگی دارد و می تواند برای مدت طولانی در محیط های اسیدی، قلیایی و اکسیداتیو به طور پایدار کار کند.

سختی بالا و استحکام بالا

کاربید سیلیکون سختی و استحکام بالاتری نسبت به مواد سرامیکی سنتی دارد، بنابراین مقاومت در برابر سایش و ضربه خوبی دارد.

هدایت حرارتی و هدایت الکتریکی عالی

کاربید سیلیکون دارای رسانایی حرارتی بالا و هدایت الکتریکی عالی است، بنابراین به طور گسترده در ساخت قطعات الکترونیکی و رادیاتورهای پرقدرت استفاده می شود.

کاربردهای سیلیکون کاربید چیست؟

سیلیکون کاربید مورد استفاده در زره ضد گلوله نظامی
کاربید سیلیکون برای ساخت زره ضد گلوله استفاده می شود. خاصیت این ترکیب که باعث می شود برای چنین منظوری کاربرد داشته باشد سختی آن است. گلوله ها و سایر اشیاء مضر باید با بلوک های سرامیکی سختی که کاربید سیلیکون تشکیل می دهد مبارزه کنند. گلوله ها نمی توانند به بلوک های سرامیکی نفوذ کنند.

سیلیکون کاربید مورد استفاده در نیمه هادی ها
کاربید سیلیکون زمانی که مواد ناخالص به آن اضافه می شود به نیمه هادی تبدیل می شود. مواد ناخالصی مانند بور و آلومینیوم که به کاربید سیلیکون اضافه می شود، آن را به نیمه هادی نوع p تبدیل می کند. از سوی دیگر، مواد ناخالصی مانند نیتروژن و فسفر اضافه شده به کاربید سیلیکون باعث می شود که آن را به نیمه هادی نوع n تبدیل کند. برای اطلاعات بیشتر در مورد تفاوت های نیمه هادی های نوع p و نیمه هادی های نوع n می توانید این پست را بخوانید.

سیلیکون کاربید مورد استفاده در ساینده ها
کاربید سیلیکون به دلیل سختی آن معمولاً به عنوان ساینده استفاده می شود. در ساخت چرخ های سنگ زنی، ابزار برش و کاغذ سنباده استفاده می شود. ساینده‌های کاربید سیلیکون معمولاً ارزان‌تر از سایر ساینده‌های با کیفیت مشابه هستند. از ساینده ها برای آسیاب موادی مانند فولاد، آلومینیوم، چدن و لاستیک استفاده می شود.

سیلیکون کاربید مورد استفاده در وسایل نقلیه الکتریکی
کاربید سیلیکون انتخاب بهتری نسبت به سیلیکون برای تامین انرژی خودروهای الکتریکی است. وسایل نقلیه الکتریکی با کاربید سیلیکون بسیار کارآمد و مقرون به صرفه هستند. در حال حاضر، بسیاری از شرکت های معروف از کاربید سیلیکون برای بهبود کارایی و برد در هنگام تولید خودروهای الکتریکی مانند تسلا استفاده کرده اند.

سیلیکون کاربید مورد استفاده در جواهرات
کاربید سیلیکون از نظر ساختاری مشابه الماس، در عین حال براق تر، ارزان تر، بادوام تر و سبک تر از الماس، جایگزین مناسبی برای الماس در صنعت جواهرسازی است.

خواص SiC

چند تایپیسم SiC
SiC به دلیل پلی تایپیسم (ساختارهای کریستالی مختلف) شناخته شده است که از روی هم قرار گرفتن Si و C در امتداد محور اصلی (محور C) ایجاد می شود. انباشته شدن AaBbCcAaBbCc یک شبکه روی-مخلوط 3C-SiC ایجاد می کند، AaBbAaBb 2H-SiC را با یک شبکه wurtzite تولید می کند، و AaBbAaCcAaBbAaC یک شبکه 4H-SiC ایجاد می کند. اشکال کریستالی مختلف با تعداد اتم‌های مختلف در واحد سلول، به دلیل باندهای انرژی الکترونیکی و شاخه‌های ارتعاشی متفاوت، بر خواص فیزیکی پلی‌تیپ‌ها تأثیر می‌گذارند.

ساختار باند
اشکال کریستالی SiC دارای اندازه‌های باند گپ متفاوتی هستند که از 2.4 eV (3C-SiC) تا 3.35 eV (2H-SiC) متغیر است، که برای تعیین خواص الکترونیکی و نوری آنها بسیار مهم است. پلی تایپ های SiC نیمه هادی های غیرمستقیم هستند، به این معنی که پلی تایپ با کمترین شکاف باند (3C-SiC) تا آن با بزرگترین شکاف باند (2H-SiC) نیاز به مشارکت فونون ها (حالت های ارتعاشی کوانتیزه) دارد. اگرچه پلی‌تیپ‌های SiC نیمه‌هادی‌های غیرمستقیم هستند، اما کاندیدای عالی برای کاربردهای برق هستند.

دوپینگ
دوپینگ یک روش فیزیکی است که برای بدست آوردن خواص الکتریکی مطلوب SiC استفاده می شود. در این فرآیند، یک عنصر، یا یک پذیرنده (آلومینیوم/بور/گالیوم) یا یک دهنده (نیتروژن/فسفر)، در مرحله رشد کریستال معرفی می شود تا رسانایی آن را تغییر دهد. از آنجایی که انتشار یک روش عملی برای دوپ SiC نیست، کاشت یون با فعال‌سازی ناخالصی از طریق گرمایش در دمای بالا برای دوپ SiC استفاده می‌شود. مطالعات قبلی موفقیت دوپینگ SiC با نیتروژن را برای کاربردهایی مانند کاهش اتلاف توان در ساختارهای دستگاه قدرت عمودی و کاربردهای فرکانس بالا گزارش کردند.

خواص الکتریکی
دوپینگ ناخواسته با اهداکنندگان نیتروژن در طول فرآیند رشد نشان می‌دهد که آنها دارای الکترون‌های اضافی در طول فرآیند رشد هستند که هدایت نوع n را در SiC نشان می‌دهد. اتم های نیتروژن دوپ شده جایگزین اتم های کربن در سایت های شبکه می شوند و انرژی های یونیزاسیون را به دلیل محیط های محلی متفاوت و اثر تداخل خاص تغییر می دهند. علاوه بر این، اندازه‌گیری‌های هال به تعیین غلظت اهداکنندگان نیتروژن کمک می‌کند، با فرض توزیع برابر در بین سایت‌های شبکه مختلف.

پایداری شیمیایی
SiC به راحتی تحت اکسیداسیون قرار می گیرد و یک فیلم دی اکسید سیلیکون (SiO2) تشکیل می دهد که به تدریج روند اکسیداسیون را مختل می کند. با این حال، اگر موادی که می توانند فیلم دی اکسید سیلیکون را حذف یا بشکنند به طور همزمان وجود داشته باشند، SiC می تواند بیشتر اکسید شود. SiC به راحتی در اسیدها یا بازها حل نمی شود، اما می تواند به راحتی توسط مذاب های قلیایی مورد حمله قرار گیرد. ناخالصی های اولیه موجود در SiC شامل C و SiO2 است و میزان ناخالصی ها بسته به نوع محصول متفاوت است.

تهیه سیلیکون کاربید

فرآیند آچسون

کاربید سیلیکون در ماده معدنی موسانیت وجود دارد اما در طبیعت غیر معمول است. این با استفاده از فرآیند آچسون، به نام مخترع آن، ادوارد جی آچسون، سنتز شده است. در این فرآیند، سیلیس خالص (SiO2) ماسه کوارتز، و کک نفتی ریز آسیاب شده (کربن) با هم ترکیب می شوند و تا دمای افزایش یافته حدود 1700 تا 2500 درجه در یک کوره مقاومتی الکتریکی گرم می شوند. واکنش شیمیایی اصلی که منجر به ایجاد ɑ-SiC می شود در زیر نشان داده شده است.

روش لیلی

تصعید در روش لیلی برای تولید کریستال های کاربید سیلیکون حجیم استفاده می شود. پودر کاربید سیلیکون را در یک بوته گرافیتی قرار می دهند که با گاز آرگون تصفیه شده و تا حدود 2500 درجه (4530 درجه فارنهایت) حرارت داده شده است. کاربید سیلیکون روی دیواره‌های بیرونی بوته تعالی می‌کند و روی یک میله گرافیتی به سمت مرکز بوته که در دمای پایین‌تری قرار دارد، رسوب می‌کند.

روش رسوب بخار شیمیایی

تولید در مقیاس کوچک کاربید سیلیکون همچنین می تواند از تجزیه مولکول های گازی یا فرار حاوی سیلیکون و کربن در یک جو بی اثر رخ دهد. سپس محصولات واکنش کاربید را بر روی یک بستر گرم شده مناسب قرار می دهند.

فرآیند تولید کاربید سیلیکون

آماده سازی پودر
کاربید سیلیکون (SiC) ترکیبی از سیلیکون و کربن با فرمول شیمیایی SiC است. ساده ترین فرآیند تولید برای تولید کاربید سیلیکون، ترکیب ماسه سیلیس و کربن در کوره مقاومت الکتریکی گرافیت آچسون در دمای بالا، بین 1600 درجه (2910 درجه فارنهایت) و 2500 درجه (4530 درجه فارنهایت) است. ذرات ریز سیلیکون را می توان با حرارت دادن در کربن اضافی از مواد آلی به کاربید سیلیکون (SiC) تبدیل کرد. دود سیلیس که محصول جانبی تولید فلز سیلیکون و آلیاژهای فروسیلیس است نیز می تواند با گرم کردن آن با گرافیت در دمای 1500 درجه (2730 درجه فارنهایت) به SiC تبدیل شود. مواد تشکیل شده در کوره آچسون از نظر خلوص متفاوت است. "سنگ ها" و دانه های کاربید سیلیکون با خرد کردن به پودر ریز تبدیل می شوند و سپس با هالوژن خالص می شوند.

خمیر کردن
سپس پودر دانه ریز (زیر میکرون) به طور همگن با مواد کمکی تف جوشی غیر اکسیدی (یک چسب) مخلوط می شود تا خمیری تشکیل شود. ممکن است از بایندرهای مختلف از جمله بایندرهای ارگانوسیلیکن استفاده شود.

شکل گیری
مخلوط خمیری حاصل ممکن است با اکستروژن یا با فشار ایزواستاتیک سرد فشرده و شکل داده شود. لوله های کاربید سیلیکون از طریق اکستروژن تولید می شوند. خواص در جهت اکستروژن با خواص در جهات دیگر متفاوت است.

ماشینکاری کنترل عددی کامپیوتری (CNC).
ماشینکاری CNC برای ماشینکاری سطح صفحات یا سوراخ کردن سوراخ ها در طرف فرآیند و سرویس در بلوک های استوانه ای استفاده می شود. به دلیل استحکام مکانیکی بسیار پایین ماده سبز رنگ، در اینجا نیاز به مراقبت ویژه است. با کمک فیکسچر منحصر به فرد، اجزا بر اساس پارامترهای ماشینکاری خاص تبدیل، آسیاب و سوراخ می شوند.

تف جوشی
پس از مرحله شکل‌گیری، مواد در یک اتمسفر بی‌اثر در دمای تا 2300 درجه (4170 درجه فارنهایت) تف جوشی می‌شوند. در طول فرآیند تف جوشی، و به طور دقیق‌تر بین حدود 1900 درجه (3450 درجه فارنهایت) و 2150 درجه (3900 درجه فارنهایت)، محصولات به طور ایزواستاتیک تقریباً 20 درصد منقبض می‌شوند. ارتفاع بلوک، قطر و قطر سوراخ تقریباً 20٪ کوچک می شود. قطر لوله، ضخامت دیواره و طول نیز کوچک می شود.

ساییدن یا آسیاب کردن
در صورت نیاز، قطعات کاربید سیلیکون پخته شده را می توان با استفاده از طیف بسیار پرهزینه ای از تکنیک های سنگ زنی دقیق الماس یا لپینگ با تلورانس های دقیق ماشین کاری کرد.

بررسی های کیفیت
قطعات کاربید سیلیکون تمام شده از طریق یک سری بررسی‌های ابعادی، آزمایش‌ها و بازرسی‌ها (تشخیص نشت، تشخیص ترک، آزمایش فشار و غیره) انجام می‌شوند. خواص مکانیکی پس از هر دسته تولید به دقت بررسی و نظارت می شود.

اقدامات احتیاطی ذخیره سازی سیلیکون کاربید

ذخیره سازی منظم، شماره دسته یکسان تا آنجا که ممکن است در ردیف، برای جلوگیری از اشتباه در فرآیند گرفتن مواد.

پودر میکرو کاربید سیلیکون دارای جذب رطوبت قوی است، سعی کنید از حذف ذخیره سازی فیلم ضد رطوبت جلوگیری کنید. این می تواند از تجمع رطوبت جلوگیری کند، زمان خشک شدن را کوتاه کند.

تا آنجا که ممکن است از اصل اول مواد اولیه استفاده کنید تا از جمع شدن مواد خام به دلیل زمان نگهداری بیش از حد جلوگیری شود.
اگر پودر کاربید سیلیکون بسیار ریز در بسته بندی شکسته حمل و نقل است، سعی کنید برای جلوگیری از آلودگی گرد و غبار آن را جداگانه ذخیره کنید.

توصیه می شود تا حد امکان انبار بسته، جدا نگهداری شود و به رطوبت، باد و باران توجه شود.

کارخانه ما

202309271538374e9c28b8cf2d4d7c94200fabe374eb08

2023092715383649e10974dd3d4489bd32b9daf379427e

2023092715383653a1c012a3ba4375b675902e3a5d17ef

20230927153836d86d51553f3e4d0081f3c93cd47a38e4

سوالات متداول

س: کاربید سیلیکون برای چه مواردی استفاده می شود؟

الف: عناصر کاربید سیلیکون امروزه در ذوب شیشه و فلزات غیرآهنی، عملیات حرارتی فلزات، تولید شیشه شناور، تولید سرامیک و قطعات الکترونیکی، جرقه زن در چراغ های راهنما برای بخاری های گازی و غیره استفاده می شود. موارد حاد زیر (کوتاه) اثرات سلامتی ممکن است بلافاصله یا مدت کوتاهی پس از قرار گرفتن در معرض سیلیکون کاربید رخ دهد: * سیلیکون کاربید می تواند چشم و بینی را در هنگام تماس تحریک کند. * شواهد محدودی وجود دارد که کاربید سیلیکون باعث ایجاد سرطان در حیوانات می شود. ممکن است باعث سرطان ریه شود.

س: کاربردهای SiC در دستگاه های الکترونیکی کدامند؟

پاسخ: کاربید سیلیکون یک نیمه هادی است که به دلیل توانایی آن در تحمل ولتاژهای بالا، تا ده برابر بیشتر از ولتاژهای قابل استفاده با سیلیکون، برای کاربردهای برق کاملاً مناسب است. نیمه هادی های مبتنی بر کاربید سیلیکون رسانایی حرارتی بالاتر، تحرک الکترون بالاتر و تلفات توان کمتری را ارائه می دهند. دیودها و ترانزیستورهای SiC همچنین می توانند در فرکانس ها و دماهای بالاتر بدون به خطر انداختن قابلیت اطمینان کار کنند. کاربردهای اصلی دستگاه های SiC مانند دیودهای شاتکی و ترانزیستورهای FET/MOSFET شامل مبدل ها، اینورترها، منابع تغذیه، شارژرهای باتری و سیستم های کنترل موتور می باشد.

س: چرا SiC در کاربردهای قدرت بر Si غلبه می کند؟

پاسخ: سیلیکون علیرغم اینکه پرکاربردترین نیمه هادی در الکترونیک است، به ویژه در کاربردهای پرقدرت، محدودیت هایی را نشان می دهد. یک عامل مرتبط در این کاربردها شکاف باند یا شکاف انرژی است که توسط نیمه هادی ارائه می شود. وقتی فاصله باند زیاد باشد، وسایل الکترونیکی که استفاده می‌کند می‌تواند کوچک‌تر، سریع‌تر و قابل اطمینان‌تر کار کند. همچنین می تواند در دماها، ولتاژها و فرکانس های بالاتر نسبت به سایر نیمه هادی ها کار کند. در حالی که سیلیکون دارای فاصله باندی در حدود 1.12eV است، کاربید سیلیکون تقریباً سه برابر بیشتر از حدود 3.26eV است.

س: چرا SiC می تواند ولتاژهای بالا را تحمل کند؟

پاسخ: دستگاه های برق، به ویژه ماسفت ها، باید بتوانند ولتاژهای بسیار بالا را تحمل کنند. به لطف شدت شکست دی الکتریک میدان الکتریکی حدود ده برابر بیشتر از سیلیکون، SiC می تواند به ولتاژ شکست بسیار بالایی برسد، از 600 ولت تا چند هزار ولت. SiC می تواند از غلظت های دوپینگ بالاتری نسبت به سیلیکون استفاده کند و لایه های رانش را می توان بسیار نازک ساخت. هرچه لایه دریفت نازکتر باشد، مقاومت آن کمتر است. در تئوری، با توجه به ولتاژ بالا، مقاومت لایه رانش در واحد سطح را می توان به 1/300 از مقاومت سیلیکون کاهش داد.

س: چرا SiC می تواند از IGBT در فرکانس های بالا بهتر عمل کند؟

پاسخ: در کاربردهای پرقدرت، IGBT ها و ترانزیستورهای دوقطبی بیشتر در گذشته با هدف کاهش مقاومت روشنایی که در ولتاژهای شکست بالا رخ می دهد، استفاده می شدند. با این حال، این دستگاه ها تلفات کلیدی قابل توجهی را ارائه می دهند که منجر به مشکلات تولید گرما می شود که استفاده از آنها را در فرکانس های بالا محدود می کند. با استفاده از SiC می‌توان دستگاه‌هایی مانند دیودهای مانع شاتکی و ماسفت‌هایی ساخت که ولتاژ بالا، مقاومت روشن و کارکرد سریع را به دست می‌آورند.

س: کدام ناخالصی ها برای دوپ کردن مواد کاربید سیلیکون استفاده می شود؟

پاسخ: کاربید سیلیکون در شکل خالص خود مانند یک عایق الکتریکی عمل می کند. با افزودن کنترل شده ناخالصی ها یا مواد ناخالص، SiC می تواند مانند یک نیمه هادی رفتار کند. یک نیمه هادی نوع P را می توان با دوپ کردن آن با آلومینیوم، بور یا گالیم به دست آورد، در حالی که ناخالصی های نیتروژن و فسفر باعث ایجاد یک نیمه هادی نوع N می شود. کاربید سیلیکون بر اساس عواملی مانند ولتاژ یا شدت تابش مادون قرمز، نور مرئی و اشعه ماوراء بنفش، توانایی هدایت الکتریسیته را در برخی شرایط دارد اما در شرایط دیگر نه. برخلاف سایر مواد، کاربید سیلیکون قادر به کنترل نواحی نوع P و N مورد نیاز برای ساخت دستگاه در محدوده های وسیعی است. به این دلایل، SiC ماده ای مناسب برای دستگاه های برقی است و می تواند بر محدودیت های ارائه شده توسط سیلیکون غلبه کند.

س: چگونه نیمه هادی های SiC می توانند مدیریت حرارتی بهتری نسبت به سیلیکون داشته باشند؟

ج: پارامتر مهم دیگر رسانایی حرارتی است که شاخصی است از اینکه نیمه هادی چگونه می تواند گرمای تولید شده را دفع کند. اگر یک نیمه رسانا نتواند گرما را به طور موثر دفع کند، محدودیتی در حداکثر ولتاژ کاری و دمایی که دستگاه می تواند تحمل کند، اعمال می شود. این قسمت دیگری است که در آن کاربید سیلیکون بهتر از سیلیکون است: هدایت حرارتی کاربید سیلیکون 1490 W/mK است، در مقایسه با 150 W/mK ارائه شده توسط سیلیکون.

س: زمان بازیابی معکوس SiC در مقایسه با Si-MOSFET چگونه است؟

پاسخ: ماسفت های SiC مانند نمونه های سیلیکونی خود دارای یک دیود داخلی بدنه هستند. یکی از محدودیت‌های اصلی ارائه شده توسط دیود بدنه، رفتار بازیابی معکوس نامطلوب است، که زمانی رخ می‌دهد که دیود خاموش می‌شود در حالی که جریان مثبت رو به جلو دارد. بنابراین زمان بازیابی معکوس (trr) به یک شاخص مهم برای تعریف ویژگی‌های ماسفت تبدیل می‌شود. شکل 2 مقایسه بین trr یک ماسفت مبتنی بر Si 1000 ولت و یک ماسفت مبتنی بر SiC را نشان می دهد. همانطور که مشاهده می شود، دیود بدنه ماسفت SiC بسیار سریع است: مقادیر trr و Irr آنقدر کوچک هستند که قابل چشم پوشی هستند و اتلاف انرژی Err به طور قابل توجهی کاهش می یابد.

س: چرا خاموشی نرم برای حفاظت از اتصال کوتاه مهم است؟

پاسخ: یکی دیگر از پارامترهای مهم برای ماسفت SiC، زمان مقاومت در برابر اتصال کوتاه (SCWT) است. از آنجایی که ماسفت‌های SiC ناحیه بسیار کوچکی از تراشه را اشغال می‌کنند و چگالی جریان بالایی دارند، توانایی آن‌ها برای مقاومت در برابر مدارهای کوتاهی که می‌تواند باعث شکست حرارتی شود کمتر از دستگاه‌های مبتنی بر سیلیکون است. برای مثال، در مورد یک ماسفت 1.2 کیلوولت با پکیج TO247، زمان تحمل اتصال کوتاه در Vdd=700V و Vgs=18V حدود 8-10 میکروثانیه است. با کاهش Vgs، جریان اشباع کاهش می یابد و زمان مقاومت افزایش می یابد. با کاهش Vdd، گرمای کمتری تولید می شود و زمان تحمل طولانی تر می شود. از آنجایی که زمان مورد نیاز برای خاموش کردن یک ماسفت SiC بسیار کوتاه است، زمانی که نرخ خاموشی Vgs بالا باشد، dI/dt بالا می‌تواند باعث افزایش شدید ولتاژ شود. بنابراین باید برای کاهش تدریجی ولتاژ گیت و اجتناب از پیک های اضافه ولتاژ از یک خاموشی نرم استفاده کرد.

س: چرا راننده گیت ایزوله انتخاب بهتری است؟

پاسخ: بسیاری از دستگاه های الکترونیکی مدارهای ولتاژ پایین و بالا هستند که برای انجام عملکردهای کنترل و قدرت به یکدیگر متصل هستند. به عنوان مثال، یک اینورتر کششی معمولاً شامل یک سمت اولیه ولتاژ پایین (مدارهای برق، ارتباط و کنترل) و یک سمت ثانویه (مدارهای ولتاژ بالا، موتور، مرحله قدرت و مدارهای کمکی) است. کنترل کننده واقع در سمت اولیه معمولاً از سیگنال های بازخوردی از سمت ولتاژ بالا استفاده می کند و در صورت عدم وجود مانع ایزولاسیون در معرض آسیب احتمالی است. یک مانع جداسازی مدارها را از سمت اولیه به سمت ثانویه به صورت الکتریکی جدا می کند و ارجاعات زمین جداگانه را تشکیل می دهد و به اصطلاح عایق گالوانیکی را اجرا می کند. این امر از انتقال سیگنال های AC یا DC ناخواسته از یک طرف به سمت دیگر و در نتیجه آسیب به اجزای برق جلوگیری می کند.

س: کاربردهای کلیدی کاربید سیلیکون چیست؟

پاسخ: کاربید سیلیکون به دلیل دوام و هزینه نسبتا کم مواد، یک ساینده بسیار محبوب در لپیداری مدرن است. بنابراین، برای صنعت هنر بسیار مهم است. در صنعت تولید، این ترکیب برای سختی آن در چندین فرآیند ماشینکاری ساینده مانند سنگ زنی، سنگ زنی، برش با جت آب و سندبلاست استفاده می شود.

س: در مورد سختی کاربید سیلیکون نظر دهید؟

پاسخ: کاربید سیلیکون توانایی تشکیل یک ماده سرامیکی بسیار سخت را دارد که برای کاربرد در ترمزها و کلاچ های خودرو و همچنین در جلیقه های ضد گلوله مفید است. این سرامیک علاوه بر حفظ استحکام خود تا 1400 درجه، بالاترین مقاومت در برابر خوردگی را در بین تمامی سرامیک های پیشرفته از خود نشان می دهد.

س: آیا کاربید سیلیکون در آب محلول است؟

پاسخ: کاربید سیلیکون در آب نامحلول است. اما در قلیاهای مذاب (مانند NaOH و KOH) و همچنین آهن مذاب محلول است. کاربید سیلیکون را می توان به عنوان یک ترکیب ارگانوسیلیسیون در نظر گرفت.

س: چرا کاربید سیلیکون اینقدر گران است؟

A: هزینه یک تراشه کاربید سیلیکون (SiC) می تواند بسته به عوامل مختلفی از جمله کاربرد خاص، اندازه، پیچیدگی و فرآیند ساخت متفاوت باشد. به طور کلی، تراشه‌های SiC به دلیل مواد پیشرفته و تکنیک‌های ساخت، گران‌تر از تراشه‌های سیلیکونی سنتی هستند.

س: کاربید سیلیکون برای چه چیزی بهتر است؟

پاسخ: از آنجایی که دانه‌های آن به آسانی می‌شکنند و عمل برش تیز را حفظ می‌کنند، ساینده‌های کاربید سیلیکون عموماً برای آسیاب کردن مواد سخت با استحکام کششی کم مانند آهن سرد، مرمر و گرانیت و موادی که نیاز به برش تیز دارند مانند الیاف، لاستیک استفاده می‌شود. چرم یا مس. شکننده: محصولات کاربید سیلیکون شکننده هستند و برای برخی از محیط‌های با ذرات بزرگ و سایش آسان مناسب نیستند. 4. ماشینکاری ضعیف: ماشینکاری محصولات کاربید سیلیکون ضعیف است و پردازش دشوار است، بنابراین تولید محصولات کاربید سیلیکون با اشکال پیچیده دشوار است.

س: آیا کاربید سیلیکون ضد گلوله است؟

پاسخ: مواد سرامیکی مانند کاربید سیلیکون (SiC) به دلیل استحکام و استحکام قابل توجهی که دارند برای متوقف کردن گلوله های تفنگ ایده آل هستند. SiC را می توان با مواد پشتی ترکیب کرد و در جلیقه های محافظ قرار داد تا محافظت حیاتی بدن را در برابر هرگونه پرتابه با سرعت بالا فراهم کند. کاربید سیلیکون در طبیعت به عنوان یک ماده معدنی بسیار کمیاب به نام موسانیت وجود دارد که برای اولین بار در سال 1893 در شهاب کانیون دیابلو آریزونا یافت شد. دهانه

س: آیا کاربید سیلیکون در آب حل می شود؟

پاسخ: کاربید سیلیکون در آب نامحلول است. با این حال، در قلیاهای مذاب (مانند NaOH و KOH) و همچنین آهن مذاب محلول است. در جولای 2022، MIT News اعلام کرد که آرسنید بور مکعبی می‌تواند جایگزین احتمالی برای سیلیکون باشد. آرسنید بور مکعبی در انتقال گرما و الکتریسیته بهتر از سیلیکون عمل می کند.

س: آیا کاربید سیلیکون از الماس قوی تر است؟

پاسخ: کاربید سیلیکون با سختی موس 9.5 سخت است که پس از سخت ترین الماس جهان در رتبه دوم قرار دارد. علاوه بر این، کاربید سیلیکون دارای هدایت حرارتی عالی است. این یک نوع نیمه هادی است و می تواند در برابر اکسیداسیون در دمای بالا مقاومت کند. کاربید سیلیکون (SiC) که به نام کربوراندوم نیز شناخته می شود، ترکیبی از سیلیکون و کربن با فرمول شیمیایی SiC است.

س: کاربید سیلیکون یا کاربید تنگستن کدام بهتر است؟

پاسخ: سیلیکون کاربید به صورت پودر استحکام فشاری و کششی را به میزان قابل توجهی افزایش می دهد [19]. کاربید تنگستن (WC) مفید است زیرا یک ماده محافظ در برابر تشعشع است. WC به شکل پودر نانو محافظت بالاتری در برابر تشعشعات و مقاومت فشاری بهتری ارائه می‌دهد. تسلا یک پیشرانه جدید برای خودروی آینده خود معرفی کرد که دارای اجزای کاربید سیلیکون 75 درصد کمتر است. تراشه‌سازان درگیر با کاربید سیلیکون از این خبر خبر دادند، اگرچه شرکت Aehr Test Systems، بازیگر کلیدی صنعت، اعلامیه تسلا را تاثیر زیادی بر تقاضای آینده نمی‌داند.

س: آیا کاربید سیلیکون می تواند شیشه را برش دهد؟

پاسخ: چرخ‌های کاربید سیلیکون برای برش شیشه، کوارتز، سرامیک، تیتانیوم، تنگستن، زیرکونیوم، اورانیوم، بریلیم و ژرمانیوم، فیبر، پلاستیک (مانند فنولیک‌ها) و پلاستیک‌های تقویت‌شده با الیاف مفید هستند. خطرات کلیدی تماس پوست با یک ماده احتمالی است. سرطان زا، یا استنشاق سیلیس کریستالی که می تواند به ریه های شما آسیب برساند. برخی از ایالت های ایالات متحده، NJ یک مثال است که کاربید سیلیکون را به عنوان یک ماده خطرناک فهرست می کند.

تگ های محبوب: کاربید سیلیکون، تولید کنندگان کاربید سیلیکون چین، تامین کنندگان، کارخانه, Cored Wire for Global Supply, Ferro silikonverskaffer, silikonkarbiedoppervlakafwerking, Ferro -legeringsbedryf, legering slak in windenergie, Magnesiumlegering in beskermende toerusting